關(guān)于CE-EMC常見(jiàn)測(cè)試方法介紹
EMC檢測(cè)(電磁兼容性檢測(cè))是檢測(cè)設(shè)備和系統(tǒng)在其電磁環(huán)境中能正常工作且不對(duì)環(huán)境中任何事物構(gòu)成不能承受的電磁騷擾的能力。在這里，我們將介紹幾種常見(jiàn)關(guān)于CE-EMC測(cè)試方法。
1.磁場(chǎng)測(cè)試
磁場(chǎng)測(cè)試使用EMC測(cè)試設(shè)備來(lái)模擬磁場(chǎng)的影響并確保設(shè)備繼續(xù)正常運(yùn)行。需要此類(lèi)抗擾度測(cè)試的典型設(shè)備包括CRT顯示器，電動(dòng)麥克風(fēng)等。
2.電壓跌落測(cè)試
顧名思義，電壓跌落測(cè)試可測(cè)試突然電壓驟降或其他電源中斷對(duì)設(shè)備的影響。這復(fù)制了掉電的影響，以及設(shè)備可能遇到的AC電源網(wǎng)絡(luò)的正常波動(dòng)。在電壓跌落測(cè)試中，抽頭自耦變壓器和抗擾度測(cè)試系統(tǒng)將進(jìn)行一系列模擬，具有不同長(zhǎng)度和嚴(yán)重性的下降和漏失。
電壓跌落測(cè)試還用于測(cè)試設(shè)備在完全停電后成功重啟的能力。
3.浪涌抗擾度測(cè)試
電磁浪涌可能由多種因素引起，包括間接雷擊和常規(guī)電源切換事件。出于合規(guī)性和可靠性的目的，必須正確地防止低頻電源浪涌對(duì)許多消費(fèi)品的影響。
即使瞬間電涌也會(huì)導(dǎo)致電弧放電，電纜故障，電機(jī)損壞以及許多其他問(wèn)題。浪涌模擬需要使用專(zhuān)門(mén)的EMC測(cè)試設(shè)備來(lái)確認(rèn)安裝了適當(dāng)?shù)谋Ｗo(hù)電路，確保產(chǎn)品上市時(shí)不會(huì)出現(xiàn)任何責(zé)任問(wèn)題。
4.進(jìn)行免疫測(cè)試
傳導(dǎo)抗擾度測(cè)試包括模擬由同一電源網(wǎng)絡(luò)供電的其他設(shè)備的潛在干擾，或者電感耦合到其I/O線路上�？梢允褂脦追N不同類(lèi)型的EMC測(cè)試設(shè)備來(lái)完成此操作，包括CDN，BCI探頭和直接電壓注入設(shè)備。
5.輻射免疫測(cè)試
輻射抗擾度測(cè)試評(píng)估設(shè)備在暴露于不同電場(chǎng)源時(shí)正常運(yùn)行的能力。電磁噪聲可以來(lái)自各種來(lái)源，從手機(jī)和微波到Wi-Fi路由器。
6.ESD測(cè)試
靜電放電（ESD）是指由于積聚的靜電而發(fā)生的電擊靜電放電（地毯沖擊）。這些短暫的能量爆發(fā)可能會(huì)導(dǎo)致許多問(wèn)題，例如IC端口損壞，通信故障，LCD屏幕損壞等。
ESD測(cè)試使用EMC測(cè)試設(shè)備進(jìn)行，該測(cè)試設(shè)備產(chǎn)生短暫的能量突發(fā)，通常為4kV和8kV。測(cè)試設(shè)備配備有模擬直接接觸和空氣傳輸電荷的尖端。
7.電快速瞬變測(cè)試
EFT-電快速瞬變-測(cè)試復(fù)制由電網(wǎng)上的感應(yīng)負(fù)載切換引起的干擾。脈沖發(fā)生器用于模擬電氣開(kāi)關(guān)，電動(dòng)機(jī)和繼電器，熒光燈鎮(zhèn)流器和其他常見(jiàn)的瞬態(tài)原因可能對(duì)被測(cè)設(shè)備產(chǎn)生的影響。不正確的接地或共模提交可能導(dǎo)致故障，內(nèi)部損壞，輔助設(shè)備問(wèn)題，通信問(wèn)題等。
EFT測(cè)試通常在交流或直流電源端口以及信號(hào)/控制端口上執(zhí)行，信號(hào)/控制端口可連接到長(zhǎng)度超過(guò)3米的電纜。
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